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絶縁耐圧を強化、xEVバッテリーの高電圧化に対応 ルネサス エレクトロニクスは2023年1月、xEV（電動車）向けインバーターシステムに搭載するIGBTやSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためのゲートドライバーIC「RAJ2930004AGM」を開発、サンプル出荷を始めた。 RAJ2930004AGMの外観 出所：ルネサス RAJ…