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全781文字 PR 名古屋工業大学大学院の加藤正史氏らの研究グループは、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の性能を決定する物性値である「キャリア寿命」を測定した。高品質SiC結晶では高い励起キャリア濃度において従来の値よりも長いキャリア寿命が得られた。SiCパワー半導体の高性能化につながる知見だと…