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日本原子力研究開発機構の吉越章隆研究主幹らは、半導体産業を支えるシリコンの酸化膜が成長する機構を明らかにした。大型放射光施設「スプリングエイト(SPring―8)」の高輝度放射光を使い、リアルタイムに反応を追跡した。酸化膜とシリコン基板の界面にある欠陥で酸素分子が反応する時に、電気の伝…