酸化ハフニウムなどhigh-k材料を利用したデバイス作製にも有用 日本原子力研究開発機構（原子力機構）と東北大学、福井工業高等専門学校（福井高専）の研究グループは2022年12月、高輝度放射光を用いてシリコン（Si）酸化膜の成長過程を観察し、Si酸化膜反応に電子や正孔といったキャリアが関与してい…
酸化ハフニウムなどhigh-k材料を利用したデバイス作製にも有用 日本原子力研究開発機構（原子力機構）と東北大学、福井工業高等専門学校（福井高専）の研究グループは2022年12月、高輝度放射光を用いてシリコン（Si）酸化膜の成長過程を観察し、Si酸化膜反応に電子や正孔といったキャリアが関与してい…