Xnm世代プロセスに適合するiPMA Hexa-MTJを開発 （EE Times Japan）

260℃でのデータ保持耐性や1000万回以上の書き換え耐性を実現 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長らによる研究グループは2022年12月、STT-MRAM（スピントルク移行型磁気ランダムアクセスメモリ）向けの「6重界面磁気トンネル接合素子（iPMA Hexa-MTJ）」を開発した…