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Samsung Electronicsは、同社のGDDR7メモリモジュールに、電力効率が25%向上し、GDDR6メモリで利用されているNRZ(Non-Return to Zero)信号と同じ割合のPAM3(Pulse-Amplitude Modulation)信号を利用すると発表したばかりである。

サムスンがGDDR7メモリのPAM3信号を公式に確認、NRZやPAM4より25%大幅な改善効果を示す

昨年、Intelの幹部であるGregory M. Bryant氏がIntelのイスラエル研究開発施設を訪問し、その様子をTwitterに投稿していた。

その際、ブライアント氏は誤って、まだリリースされていないThunderbolt 5技術に関する情報を表示した画像を流出させてしまったのです。

ブライアント氏は自分の間違いに気づくと、その画像は投稿から削除されましたが、PAM3信号(GDDR7)といういくつかの関連する開発について記述されていました。

要約すると、GDDR7におけるPAM3信号とは、システムが1ビットで0と1を生成する方法である。

このツイートが投稿された当時、業界標準はPAM4とNRZでした。3と4という数字は、NRZとPAM4に伝送される0と1のバリエーション(00、01、10、11)の数である。

PAM3信号では、数値は負のものと正のもの、ゼロ(-1,0,+1)に分かれています。

当時、PAM3のメモリ技術はPAM4よりも効率的に優れていましたが、NRZには及ばないものでした。

現在はこれが変化し、PAM3が新しい標準となる。

サムスンは続けて、新しいGDDR7メモリがサポートする帯域幅が、36Gbpsの転送レートで動作することを確認した。

AMD Radeon RX 6000シリーズのグラフィックスカードと比較すると、18Gbpsを頂点としていた同GPUシリーズに採用されているチップと比較して、帯域幅が2倍高速化されたことになる。

また、新しいGDDR7は、AMD Radeon 7000 GPUシリーズよりも高速です。

サムスンGDDR7メモリモジュールを利用する製品は現在リリースされておらず、サムスン電子はグラフィックスカードに実装される時期もまだ明らかにしていない。

しかし、この新しい規格は、256ビットメモリバスで1152GB/sのメモリ帯域幅を実現し、384ビットメモリコントローラで使用する場合は1728GB/sを実現すると予想される。Samsungは最近、GDDR6に対して容量とチャネル数が2倍になったGDDR6Wメモリも発表している。

ソース:wccftech – Samsung GDDR7 Memory Boasts Up To 36 Gbps Transfer Rates With PAM3 Signaling

 

 

 

解説:

GDDR7の存在がリークされる。

GDDR6X以降、インフィニティ・キャッシュのような大容量キャッシュがGPUに搭載されるようになり、メモリの速度の影響があまり大きくなくなったのはここ1-2年のことですが、やはりGDDR7は準備されているようです。

世代によるメモリ帯域幅

メモリ種類 世代 速度 384bit 256bit 128bit 64bit
GDDR7 36Gbps 1728 1152 576 288
GDDR6X Ampere 21Gbps 1008 672 336 168
GDDR6 Ampere 18Gbps 864 576 288 144
GDDR6 Turing 12Gbps 576 384 192 96
GDDR5X Pascal 11Gbps 528 352 176 88
GDDR5 Pascal 8Gbps 384 256 128 64
単位:GB/s

ちなみに、Ada Lovelace世代はキャッシュが増量されたのでその分、見かけ上のメモリ帯域幅がアップしてAmpereと同様にGDDR6XとGDDR6となります。

Pascal世代と比較すると大幅に速度がアップしているのがよくわかる結果になっています。

GDDR7世代では遂に256bitバス幅でもメモリ帯域が1TB/sを超えます。

GPUのメモリ帯域幅はGPUの演算性能に直結していますので、今後もその速度の進化が鈍ることは無いでしょう。

 

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