ローム、パワー半導体に第3の矢 「GaN」量産で挑む （日本経済新聞）

ロームのパワー半導体「EcoGaN」が日経優秀製品・サービス賞の日経産業新聞賞を受賞した。窒化ガリウム（GaN）を使った半導体で、従来のシリコン製と比べて電力ロスを6割減らせるのが特徴だ。日本が優位に立つとされるパワー半導体分野で、シリコン、炭化ケイ素（SiC）に次ぐ第3の矢として世界のニーズ…