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全2975文字 PR パワーデバイス材料は一般にバンドギャップが広いほど優れた特性を持つ傾向にある。そのため、炭化ケイ素（SiC）のバンドギャップエネルギー（3.3eV）を大きく上回る窒化アルミニウム（AlN、約6eV）、立方晶窒化ホウ素（c-BN、約6.5eV）、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2、約4.6eV）…